RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
66
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
66
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
1699
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link