Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Pontuação geral
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 37
    Por volta de 32% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    21.4 left arrow 15.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.3 left arrow 21.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.8 left arrow 14.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2646 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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