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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2460
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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