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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2918
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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