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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
75
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
1735
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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