RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
3742
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link