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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
5.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
1884
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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