RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
59
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
59
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
7.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2025
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link