RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2231
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link