RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
66
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
66
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
1699
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link