RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
3337
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link