RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
16.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
4015
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link