RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
2581
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link