RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1751
2283
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparações de RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link