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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
57
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
57
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2792
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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