RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
6.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2130
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link