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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2909
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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