RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
75
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1717
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link