RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3324
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link