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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3695
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905316-152.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
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