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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3138
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
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