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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2824
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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