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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3209
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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