RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3304
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link