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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2959
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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