RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3385
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link