RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3449
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link