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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3559
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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