RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3098
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link