RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2809
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link