RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
22.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3871
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link