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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3180
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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