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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2553
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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