RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3379
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link