RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
25
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
19
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2994
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link