RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
16.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
4060
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link