RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
16.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3889
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link