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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
4100
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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