RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
42
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2034
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link