RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2571
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link