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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2899
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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