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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3018
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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