RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3005
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link