RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link