RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2382
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link