RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
79
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
79
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1710
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link