RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
48
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
48
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2496
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link