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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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