Comparação RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Pontuação geral

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 31

Por volta de 19% menor latência

Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.2 16.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.9 10.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2764 3100

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns