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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
52
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2384
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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